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N-溝道功率MOSFET-MPF12N65

2023-08-15 12:09:55來(lái)源： 工采網(wǎng)電子元件

MOS管是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；它由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料構(gòu)成；分為N溝道型（NMOS）和P溝道型（PMOS）兩種類型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性優(yōu)點(diǎn)。

工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏極和源極之間的電流流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或開(kāi)關(guān)操作；由于MOS管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)高度集成的電路設(shè)計(jì)，在現(xiàn)代電子技術(shù)中起著不可忽視的作用。

(資料圖片僅供參考)

可廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中，如集成電路、電源管理、通信系統(tǒng)等領(lǐng)域；MOS管在集成電路中作為邏輯門(mén)、存儲(chǔ)器和微處理器等關(guān)鍵組件，可以實(shí)現(xiàn)高度集成和小型化。在電源管理中，MOS管用于電池管理、功率放大和開(kāi)關(guān)控制等。在通信系統(tǒng)中，MOS管用于射頻功率放大器、調(diào)制解調(diào)器和濾波器等。

由工采網(wǎng)代理的MPF12N65是一款高壓平面MOS管；采用N-type溝道形式；TO-220F封裝；可應(yīng)用于LED電源/適配器/PD快充等等。

MPF12N65特性：

額定電壓（電流）：650V-12A

柵極開(kāi)啟電壓：2.0V～4.0V

導(dǎo)通電阻：典型值0.65Ω，絕對(duì)值為0.8Ω

柵極電荷量(nC)：40.2

輸入結(jié)電容(pF)：1780pF

臺(tái)灣美祿在MOS管領(lǐng)域頗有建樹(shù)，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，提供高壓、中低壓MOS管了解更多型號(hào)及相關(guān)技術(shù)資料，歡迎聯(lián)系：19168597394（微信同號(hào)）

原文標(biāo)題 : N-溝道功率MOSFET-MPF12N65

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