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IT之家 5 月 27 日消息,美國 GaN 技術廠商 EPC 近日向加州地區(qū)法院和 ITC 提起訴訟,聲稱國產 GaN 芯片龍頭英諾賽科侵犯了 EPC 的 4 項專利,并尋求禁售與侵權賠償。
▲ 圖源:英諾賽科
IT之家在起訴書中看到,EPC 將矛頭對準了兩名曾在該公司任職的高管。EPC 認為,其首席技術官和銷售總監(jiān)加入英諾賽科后不久,英諾賽科便推出了與 EPC 關鍵性能指標幾乎相同的產品。此外,英諾賽科還展開了進攻性的營銷活動,積極向 EPC 公司的客戶推銷其產品。
EPC 要求獲得侵權賠償,并希望能夠禁止英諾賽科公司在美國銷售涉及侵權的氮化鎵產品。業(yè)內人士指出,若 EPC 最終勝訴,英諾賽科等 GaN 企業(yè)進軍國際市場的策略將不得不做出改變。
英諾賽科成立于 2015 年 12 月,是一家總部位于珠海的 GaN 類器件制造商,產品包括高低壓 GaN 電源 IC、功率半導體等,其擁有全球最大的 8 英寸硅基 GaN 晶圓的生產基地。
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