7月27日，英特爾公司公布了公司有史以來最詳細的芯片制程工藝和封裝技術路線圖，展示了一系列底層技術創(chuàng)新，這些創(chuàng)新技術將不斷驅動從現(xiàn)在到2025年乃至更遠未來的新產品開發(fā)。此外，英特爾還公開了其代工服務首次合作的兩位重要客戶。

除了公布其十多年來首個全新晶體管架構RibbonFET和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡PowerVia之外，英特爾還重點介紹了迅速采用下一代極紫外光刻(EUV)技術的計劃，即高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV。據(jù)悉，英特爾有望率先擁有業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

結合世界先進的研發(fā)流程，英特爾推出過諸多深刻影響了半導體生態(tài)的行業(yè)首創(chuàng)技術，如應變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等?，F(xiàn)在，英特爾延續(xù)這一傳統(tǒng)制定創(chuàng)新路線圖，其中不僅包括晶體管級的技術增強，還將創(chuàng)新延伸至互聯(lián)和標準單元級，以加快每年制程工藝的提升速度。

在披露芯片制程工藝路線圖時，英特爾宣布不再使用此前尺寸單位(如納米)的數(shù)字來命名的方式，而是引入了基于關鍵技術參數(shù)包括性能、功耗和面積等的新命名體系。隨著行業(yè)越來越接近“1納米”節(jié)點，英特爾希望改變命名方式以更好地反映全新的創(chuàng)新時代。具體而言，在Intel 3之后的下一個節(jié)點將被命名為Intel 20A，這一命名反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代半導體的埃米時代。

英特爾表示，對于未來十年走向超越“1納米”節(jié)點的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑。在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會失效，英特爾將持續(xù)利用硅元素的力量不斷推進創(chuàng)新。

關鍵詞： 英特爾 技術創(chuàng)新 光刻機 制程工藝